文献
J-GLOBAL ID:201602285475960888
整理番号:16A0977959
相補III Si上のVヘテロ接合横方向北西トンネルFET技術【Powered by NICT】
Complementary III-V heterojunction lateral NW Tunnel FET technology on Si
著者 (6件):
Cutaia D.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Moselund K. E.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Schmid H.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Borg M.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Olziersky A.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
,
Riel H.
(IBM Research - Zurich, Saeumerstrasse 4, 8803 Rueschlikon, Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
VLSI Technology
ページ:
1-2
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)