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文献
J-GLOBAL ID：201602285679345685
整理番号：16A0578199
室温で12-クラウン-4の付加反応を経由して合成されたジイソプロピルアンモニウムブロミド薄膜の成長機構および強誘電体ドメイン
The growth mechanism and ferroelectric domains of diisopropylammonium bromide films synthesized via 12-crown-4 addition at room temperature
Gao Kaige
(National Laboratory of Solid State Microstructures and School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, P. R. China. hlcai@nju.edu.cn xswu@nju.edu.cn)
,
Xu Cong
,
Cui Zepeng
,
Liu Chuang
,
Gao Linsong
,
Li Chen
,
Wu Di
,
Cai Hong-Ling
,
Wu X. S.
資料名：
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 18 号： 11 ページ： 7626-7631 発行年： 2016年03月21日
JST資料番号： A0271C ISSN： 1463-9076 CODEN： PPCPFQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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