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文献
J-GLOBAL ID：201602285715514020
整理番号：16A1063777
埋め込み電極を用いたAlN/SiO-2/3C SiC層状構造のSAW特性【Powered by NICT】
SAW Characteristics of AlN/SiO2/3C-SiC Layered Structure With Embedded Electrodes
Zhang Qiaozhen
(Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
,
Han Tao
(Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
,
Tang Gongbin
(Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
,
Chen Jing
(Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
,
Hashimoto Ken-Ya
(Department of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
資料名：
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control
(IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 63 号： 10 ページ： 1608-1612 発行年： 2016年
JST資料番号： H0369A ISSN： 0885-3010 CODEN： ITUCER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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