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文献
J-GLOBAL ID：201602285980570453
整理番号：13A1264616
A single-event-hardened phase-locked loop using the radiation-hardened-by-designtechnique
Han Benguang
(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)
,
Guo Zhongjie
(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)
,
Wu Longsheng
(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)
,
Liu Youbao
(Xi’an Microelectronic Technol. Inst., Xi’an)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 33 号： 10 ページ： 105007-1-105007-6 発行年： 2012年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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