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文献
J-GLOBAL ID：201602286925922495
整理番号：16A1000319
少含有量のPb(Mg1/3Nb2/3)O3改質によるBi(Sc3/4In1/4)O3-PbTiO3の相遷移挙動と強化された電気的性質
Phase transitional behavior and enhanced electrical properties of Bi(Sc3/4In1/4)O3-PbTiO3 by small content Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 modification
Zhao Tian-Long
(School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Zhao Tian-Long
(Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, Beijing, People’s Republic of China)
,
Wang Chun-Ming
(School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Chen Jianguo
(School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai, People’s Republic of China)
,
Wang Chun-Lei
(School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
,
Dong Shuxiang
(Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering, Peking University, Beijing, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27 号： 1 ページ： 606-612 発行年： 2016年01月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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