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文献
J-GLOBAL ID：201602286948151007
整理番号：16A1356738
浅いイオン注入ゲルマニウム層の水素プラズマ改質【Powered by NICT】
Hydrogen plasma modification of shallow implanted Germanium layers
Nazarov A. N.
(Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Yukhymchuk V. O.
(Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Okholin P. N.
(Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Lytvyn P. M.
(Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Lysenko V. S.
(Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, 41, Nauky Pr., 03028 Kyiv, Ukraine)
,
Glotov V. I.
(Research Institute of Microdevices NAS of Ukraine, 3, Pivnychno-Syretska Str., 04130 Kyiv, Ukraine)
,
Nazarova T. M.
(Department of Common and Inorganic Chemistry, National Technical University of Ukraine “KPI”, 37 Peremogy Pr., 03056 Kyiv, Ukraine)
,
Napolitani E.
(CNR-IMM-MATIS, Department of Physics and Astronomy, University of Padova, Padova, Italy)
,
Duffy R.
(Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： NAP ページ： 01PISERE02-1-01PISERE02-4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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