文献
J-GLOBAL ID:201602287019018338
整理番号:16A0611361
Si基板上のGa介助GaAsナノワイヤアレイ太陽電池の特性化【Powered by NICT】
Characterization of a Ga-Assisted GaAs Nanowire Array Solar Cell on Si Substrate
著者 (7件):
Boulanger J. P.
(Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada)
,
Chia A. C. E.
(Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada)
,
Wood B.
(Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada)
,
Yazdi S.
(Center for Electron Nanoscopy, Tech. Univ. of Denmark, Lyngby, Denmark)
,
Kasama T.
(Center for Electron Nanoscopy, Tech. Univ. of Denmark, Lyngby, Denmark)
,
Aagesen M.
(Gasp Solar ApS, Taastrup, Denmark)
,
LaPierre R. R.
(Dept. of Eng. Phys., McMaster Univ., Hamilton, ON, Canada)
資料名:
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻:
6
号:
3
ページ:
661-667
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2305A
ISSN:
2156-3381
CODEN:
IJPEG8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)