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文献
J-GLOBAL ID：201602287168035010
整理番号：16A1190977
レーザパルスにより駆動した同期Si電界放出アレイの電子放出特性
Electron emission properties of gated silicon field emitter arrays driven by laser pulses
Shimawaki Hidetaka
(Department of System and Information Engineering, Hachinohe Institute of Technology, Hachinohe, Aomori 031-8501, Japan)
,
Nagao Masayoshi
(Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Neo Yoichiro
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan)
,
Mimura Hidenori
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan)
,
Wakaya Fujio
(Graduate school of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
,
Takai Mikio
(Graduate school of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 18 ページ： 183106-183106-3 発行年： 2016年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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