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文献
J-GLOBAL ID：201602288028041080
整理番号：16A0798442
100nsランダムアクセス時間を持つ65nm技術における1G細胞フローティングゲートNORフラッシュメモリ【Powered by NICT】
A 1G-cell floating-gate NOR flash memory in 65 nm technology with 100 ns random access time
Liu Lifang
(Institute of Microelectronics, University of Tsinghua)
,
Wu Dong
(Institute of Microelectronics, University of Tsinghua)
,
Liu Xuemei
(Institute of Microelectronics, University of Tsinghua)
,
Huo Zongliang
(Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Ming
(Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Pan Liyang
(Institute of Microelectronics, University of Tsinghua)
資料名：
Science China. Information Sciences
(Science China. Information Sciences)
巻： 58 号： 4 ページ： 042405-1-042405-8 発行年： 2015年
JST資料番号： C2579A ISSN： 1674-733X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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