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J-GLOBAL ID：201602288235580776 整理番号：16A0977905

低動作電流と固有ダイオード特性を持つ強誘電性HfO_2ベース抵抗スイッチの初めての実証と性能向上【Powered by NICT】

First demonstration and performance improvement of ferroelectric HfO₂-based resistive switch with low operation current and intrinsic diode property

著者 (6件)：

Fujii Shosuke

(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan)

,

Kamimuta Yuuichi

(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan)

,

Ino Tsunehiro

(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan)

,

Nakasaki Yasushi

(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan)

,

Takaishi Riichiro

(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan)

,

Saitoh Masumi

(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 800, Yamano Isshiki-cho, Yokkaichi 512-8550, Japan)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2016 号： VLSI Technology ページ： 1-2 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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