文献
J-GLOBAL ID:201602288659225821
整理番号:16A0601445
積層1D2R RRAMアレイを用いた高密度,高信頼性不揮発性フィールドプログラマブルゲートアレイ【Powered by NICT】
High-Density and High-Reliability Nonvolatile Field-Programmable Gate Array With Stacked 1D2R RRAM Array
著者 (4件):
Kejie Huang
(Dept. of Eng. Product Design, Singapore Univ. of Technol. & Design, Singapore, Singapore)
,
Rong Zhao
(Dept. of Eng. Product Design, Singapore Univ. of Technol. & Design, Singapore, Singapore)
,
Wei He
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. & Res., Singapore, Singapore)
,
Yong Lian
(Nat. Univ. of Singapore, Singapore, Singapore)
資料名:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
(IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻:
24
号:
1
ページ:
139-150
発行年:
2016年
JST資料番号:
W0516A
ISSN:
1063-8210
CODEN:
ITCOB4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)