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文献
J-GLOBAL ID：201602289277856256
整理番号：16A1364679
原子層堆積によって堆積したAl2O3\La2O3\Si及びLa2O3\Al2O3\Si膜の特性に及ぼす急速熱アニーリングの影響
Influences of rapid thermal annealing on the characteristics of Al2O3¥La2O3¥Si and La2O3¥Al2O3¥Si films deposited by atomic layer deposition
Fei Chenxi
(Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Liu Hongxia
(Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Wang Xing
(Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhao Dongdong
(Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Wang Shulong
(Key Laboratory for Wide-Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27 号： 8 ページ： 8550-8558 発行年： 2016年08月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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