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文献
J-GLOBAL ID：201602289586749171
整理番号：16A1348152
AlGaN/GaNと格子整合InAlN/GaNヘテロ構造Schottky障壁ダイオードの電気特性の比較
Comparison of electrical characteristics between AlGaN/GaN and lattice-matched InAlN/GaN heterostructure Schottky barrier diodes
Ren Jian
(Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
,
Yan Dawei
(Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
,
Zhai Yang
(Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
,
Mou Wenjie
(Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
,
Gu Xiaofeng
(Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 61 ページ： 82-86 発行年： 2016年06月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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