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J-GLOBAL ID：201602290758694526 整理番号：16A0726687

優れたデバイス性能を持つInAs/InPコア-シェルナノワイヤトランジスタ【Powered by NICT】

InAs/InP core-shell nanowire transistors with outstanding device performance

著者 (1件)：

Sasaki Satoshi

(NTT Basic Research Laboratories, Japan)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2016 号： CSW ページ： 1 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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