文献
J-GLOBAL ID:201602290767940797
整理番号:16A1151390
バルクGaN基板上の600V,低漏れ電流AlGaN/GaN MIS-HEMT【Powered by NICT】
600 V, low-leakage AlGaN/GaN MIS-HEMT on bulk GaN substrates
著者 (7件):
Alshahed M.
(Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany)
,
Alomari M.
(Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany)
,
Harendt C.
(Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany)
,
Burghartz J. N.
(Institut fuer Mikroelektronik Stuttgart, Germany)
,
Wachter C.
(AZUR SPACE Solar Power GmbH, Technology epitaxial materials, Heilbronn, Germany)
,
Bergunde T.
(AZUR SPACE Solar Power GmbH, Technology epitaxial materials, Heilbronn, Germany)
,
Lutgen S.
(III-V Semiconductor Consulting, Dresden, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ESSDERC
ページ:
202-205
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)