文献
J-GLOBAL ID:201602291984802999
整理番号:16A1112262
支持放電を用いたDCマグネトロンスパッタリング法によって調製した窒化チタン(TiN)薄膜の構造,光学,電気特性に及ぼすアニーリングの影響
The effect of annealing on the structural, optical and electrical properties of Titanium Nitride (TiN) thin films prepared by DC magnetron sputtering with supported discharge
著者 (4件):
Kavitha A.
(Department of Physics, University College of Engineering, Anna University, Dindigul, Tamil Nadu, India)
,
Kannan R.
(Department of Physics, University College of Engineering, Anna University, Dindigul, Tamil Nadu, India)
,
Sreedhara Reddy P.
(Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati, Andhra Pradesh, India)
,
Rajashabala S.
(School of Physics, Madurai Kamaraj University, Madurai, Tamil Nadu, India)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
27
号:
10
ページ:
10427-10434
発行年:
2016年10月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)