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文献
J-GLOBAL ID：201602292091470180
整理番号：16A1286048
InGaP/GaAs及びSi結晶の「スマートスタック」三重接合細胞【Powered by NICT】
A “smart stack” triple-junction cell consisting of InGaP/GaAs and crystalline Si
Mizuno Hidenori
(Renewable Energy Research Center, Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan)
,
Makita Kikuo
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan)
,
Tayagaki Takeshi
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan)
,
Mochizuki Toshimitsu
(Renewable Energy Research Center, Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan)
,
Takato Hidetaka
(Renewable Energy Research Center, Fukushima Renewable Energy Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan)
,
Sugaya Takeyoshi
(Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan)
,
Mehrvarz Hamid
(Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia)
,
Green Martin
(Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia)
,
Ho-Baillie Anita
(Australian Centre for Advanced Photovoltaics (ACAP), School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney 2052, Australia)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： PVSC ページ： 1923-1925 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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