文献
J-GLOBAL ID:201602292125577894
整理番号:16A0768044
バイアススパッタリングにより蒸着したチャネル層をもつ非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの特性【Powered by NICT】
Characteristics of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film-transistors with channel layer deposited by bias sputtering
著者 (5件):
Zhang Man
(Peking University, School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen 518055, China)
,
Xiao Xiang
(Peking University, School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen 518055, China)
,
Ju Xin
(Peking University, School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen 518055, China)
,
Zhang Xiaodong
(Peking University, School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen 518055, China)
,
Zhang Shengdong
(Peking University, School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen 518055, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
AM-FPD
ページ:
127-130
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)