文献
J-GLOBAL ID:201602292137741246
整理番号:16A1153174
種々のフィラメント形状を持つCBRAMのための原子モンテカルロシミュレーション【Powered by NICT】
Atomic Monte-Carlo simulation for CBRAM with various filament geometries
著者 (7件):
Zhao Y. D.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Huang P.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Guo Z. H.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Lun Z. Y.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Gao B.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Liu X. Y.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Kang J. F.
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SISPAD
ページ:
153-156
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)