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文献
J-GLOBAL ID：201602293977309062
整理番号：15A1126369
Improvement of the off-state breakdown voltage with field plate and low-density drain in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
Zhang Peng
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
,
Zhao Shenglei
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
,
Hou Bin
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
,
Wang Chong
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
,
Zheng Xuefeng
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
,
Ma Xiaohua
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
,
Zhang Jincheng
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
,
Hao Yue
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian Univ. Key Lab. of Ministry of Education for Wide Band-Gap ...)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 24 号： 3 ページ： 037304-1-037304-4 発行年： 2015年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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