文献
J-GLOBAL ID:201602296453514270
整理番号:16A0321347
a-IGZO TFTのしきい値電圧に及ぼす負電荷層の効果【Powered by NICT】
Effects of Negative Charge Layer on The Threshold Voltage of a-IGZO TFT
著者 (2件):
Ding Lei
(Coll. of Sci.,Shaanxi Univ. of Sci. and Technol., Xi’an)
,
Zhang Fanghui
(Coll. of Sci.,Shaanxi Univ. of Sci. and Technol., Xi’an)
資料名:
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻:
36
号:
11
ページ:
1320-1324
発行年:
2015年
JST資料番号:
W1380A
ISSN:
1000-7032
CODEN:
FAXUEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
中国語 (ZH)