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J-GLOBAL ID:201602298818129819   整理番号:16A0876233

CAAC IGZO FETを用いた画素内不揮発性アナログメモリを用いたモーションキャプチャのための60fps240×160画素ビジョンセンサでの25 3μW【Powered by NICT】

A 25. 3 <tex-math notation=”LaTeX”>$¥mu$ </tex-math></inline-formula>W at 60 fps <tex-math notation=”LaTeX”>$240 ¥times 160$ </tex-math></inline-formula> Pixel Vision Sensor for Motion Capturing With In-Pixel Nonvolatile Analog Memory Using CAAC-IGZO FET
著者 (14件):
Ohmaru Takuro
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Nakagawa Takashi
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Maeda Shuhei
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Okamoto Yuki
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Kozuma Munehiro
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Yoneda Seiichi
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Inoue Hiroki
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Kurokawa Yoshiyuki
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Ikeda Takayuki
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Ieda Yoshinori
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Yamade Naoto
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Miyairi Hidekazu
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
Ikeda Makoto
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
Yamazaki Shunpei
(Semiconductor Energy Laboratory Co.Ltd, 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)

資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

巻: 51  号:ページ: 2168-2179  発行年: 2016年 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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