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文献
J-GLOBAL ID：201702201222538777
整理番号：17A0979709
E級ZVSインバータに基づくSiC MOSFET高速駆動回路の解析
Steady-stete analysis of driver circuit of SiC MOSFETbased on class-E inverter
松原華子
(千葉大)
,
WEI Xiuqin
(千葉工大)
,
関屋大雄
(千葉大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117 号： 157(EE2017 10-30) ページ： 117-121 発行年： 2017年07月20日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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