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文献
J-GLOBAL ID:201702210173349377   整理番号:17A1627580

ナノスケール島状SiN-中間層を持つ非極性a面GaNエピ層の結晶品質の異方性と歪の低減【Powered by NICT】

Reduction in crystalline quality anisotropy and strain for non-polar a-plane GaN epi-layers with nano-scale island-like SiN interlayer
著者 (9件):
Zhao Jianguo
(Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)
Zhang Xiong
(Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)
Wu Zili
(Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)
Dai Qian
(Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)
Wang Nan
(Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)
He Jiaqi
(Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)
Chen Shuai
(Laboratory of Optoelectronic Materials & Detection Technology, Guangxi Key Laboratory for the Relativistic Astrophysics, College of Physics Science & Technology, Guangxi University, Nanning, 530004, Guangxi, China)
Feng Zhe Chuan
(Laboratory of Optoelectronic Materials & Detection Technology, Guangxi Key Laboratory for the Relativistic Astrophysics, College of Physics Science & Technology, Guangxi University, Nanning, 530004, Guangxi, China)
Cui Yiping
(Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, Jiangsu, China)

資料名:
Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)

巻: 729  ページ: 992-996  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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