文献
J-GLOBAL ID:201702210202584066
整理番号:17A0766846
少数キャリア注入を有するGaN系発光ダイオードアニーリングにおける水素不動態化Mgの活性化【Powered by NICT】
Activation of Hydrogen-Passivated Mg in GaN-Based Light Emitting Diode Annealing with Minority-Carrier Injection
著者 (4件):
YANG Ling
(Institute of Microelectronics, Xidian University)
,
HAO Yue
(Institute of Microelectronics, Xidian University)
,
LI Pei-Xian
(Institute of Microelectronics, Xidian University)
,
ZHOU Xiao-Wei
(Institute of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
26
号:
1
ページ:
249-251
発行年:
2009年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)