文献
J-GLOBAL ID:201702210278104914
整理番号:17A1810392
SiO2エッチング用C4F8/Arパルスプラズマ下のフッ化炭素層に対するプラズマ解離の影響
Effect of plasma dissociation on fluorocarbon layers formed under C4F8/Ar pulsed plasma for SiO2 etching
著者 (3件):
MATSUI Miyako
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
USUI Tatehito
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ONO Tetsuo
(Hitachi High-Technol. Corp., Yamaguchi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
6S2
ページ:
06HB03.1-06HB03.7
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)