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文献
J-GLOBAL ID：201702210300871659
整理番号：17A0504161
活性層接合後のエピタキシャル成長により作製したSi上のメンブレンレーザに対するデバイスパラメータの評価
Evaluation of Device Parameters for Membrane Lasers on Si Fabricated with Active-Layer Bonding Followed by Epitaxial Growth
FUJII Takuro
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
FUJII Takuro
(NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation)
,
TAKEDA Koji
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
TAKEDA Koji
(NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation)
,
KANNO Erina
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
HASEBE Koichi
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
HASEBE Koichi
(NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation)
,
NISHI Hidetaka
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
NISHI Hidetaka
(NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation)
,
YAMAMOTO Tsuyoshi
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
KAKITSUKA Takaaki
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
KAKITSUKA Takaaki
(NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation)
,
MATSUO Shinji
(NTT Device Technology Labs., NTT Corporation)
,
MATSUO Shinji
(NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C 号： 2 ページ： 196-203(J-STAGE) 発行年： 2017年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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