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文献
J-GLOBAL ID：201702210359119193
整理番号：17A0180995
AUnAsSbは分離吸収,電荷及び増倍アバランシェフォトダイオード【Powered by NICT】
AUnAsSb separate absorption, charge, and multiplication avalanche photodiodes
Ren Min
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA)
,
Maddox Scott J.
(Microelectronics Research Center, The University of Texas, Austin, TX 78758, USA)
,
Woodson Madison E.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA)
,
Chen Yaojia
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA)
,
Bank Seth R.
(Microelectronics Research Center, The University of Texas, Austin, TX 78758, USA)
,
Campbell Joe C.
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IPC ページ： 258-259 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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