文献
J-GLOBAL ID:201702210487955234
整理番号:17A0325247
SnSナノシート修飾により実現した高感度および高速単分子層WS_2フォトトランジスタ【Powered by NICT】
Highly sensitive and fast monolayer WS2 phototransistors realized by SnS nanosheet decoration
著者 (8件):
Jia Zhiyan
(State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinghuangdao 066004, China. jyxiang@ysu.edu.cn wenfsh@ysu.edu.cn liuzy0319@ysu.edu.cn)
,
Li Songlin
,
Xiang Jianyong
,
Wen Fusheng
,
Bao Xuan
,
Feng Shanghuai
,
Yang Ruilong
,
Liu Zhongyuan
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
5
ページ:
1916-1924
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)