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文献
J-GLOBAL ID：201702210495272000
整理番号：17A0759462
MOCVDとその効果欠陥によるシリコン上のAlNの理解核形成の開発【Powered by NICT】
Developments in understanding the nucleation of AlN on silicon by MOCVD and its effects on defects
Charles Matthew
(Universite Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France)
,
Charles Matthew
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Bavard Alexis
(Universite Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France)
,
Bavard Alexis
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Bavard Alexis
(Exagan, Minatec Entreprises BHT, 7 parvis Louis Neel, 38040 Grenoble, France)
,
Bouis Renan
(Universite Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France)
,
Bouis Renan
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Baines Yannick
(Universite Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France)
,
Baines Yannick
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
,
Escoffier Rene
(Universite Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France)
,
Escoffier Rene
(CEA, LETI, MINATEC Campus, 38054 Grenoble, France)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 4 ページ： ROMBUNNO.201600431 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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