文献
J-GLOBAL ID:201702210926077173
整理番号:17A1774348
高周波MMCトポロジーのためのGaNH EMTとSi CoolMOSの比較分析【Powered by NICT】
Comparative analysis of GaN HEMT vs. Si CoolMOS for a high-frequency MMC topology
著者 (5件):
Avila Ander
(IK4-IKERLAN Tech., Research Centre Power Electronics Area 20500 Arrasate-Mondrago ́n, Spain)
,
Garcia-Bediaga Asier
(IK4-IKERLAN Tech., Research Centre Power Electronics Area 20500 Arrasate-Mondrago ́n, Spain)
,
Onederra Oier
(University of the Basque Country (UPV/EHU) Electronics Technology Department 48013 Bilbao, Spain)
,
Ruias Alejandro
(IK4-IKERLAN Tech., Research Centre Power Electronics Area 20500 Arrasate-Mondrago ́n, Spain)
,
Rodriguez Alberto
(Universidad de Oviedo Grupo de Sistemas Electro ́nicos de Alimentacio ́n (SEA) 33204 Gijo ́n, Spain)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EPE’17 ECCE Europe
ページ:
P.1-P.9
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)