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文献
J-GLOBAL ID：201702210946858283
整理番号：17A0769669
多重積層Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3トンネル障壁を用いたロバストな低電圧プログラム消去可能なコバルトナノ結晶メモリキャパシタ【Powered by NICT】
Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3 Tunnel Barrier
LIAO Zhong-Wei
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
GOU Hong-Yan
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
HUANG Yue
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
SUN Qing-Qing
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
DING Shi-Jin
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
ZHANG Wei
(School of Microelectronics, Fudan University)
,
ZHANG Shi-Li
(School of Microelectronics, Fudan University)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 26 号： 8 ページ： 311-314 発行年： 2009年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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