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文献
J-GLOBAL ID：201702210951841414
整理番号：17A0246219
ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
A 5.92-Mb/mm2 28-nm Pseudo 2-Read/Write Dual-port SRAM using Double Pumping Circuitry
石井雄一郎
(ルネサスエレクトロニクス)
,
藪内誠
(ルネサスエレクトロニクス)
,
澤田陽平
(ルネサスエレクトロニクス)
,
森本薫夫
(ルネサスエレクトロニクス)
,
塚本康正
(ルネサスエレクトロニクス)
,
良田雄太
(ルネサスシステムデザイン)
,
柴田健
(ルネサスシステムデザイン)
,
佐野聡明
(ルネサスシステムデザイン)
,
田中信二
(ルネサスエレクトロニクス)
,
新居浩二
(ルネサスエレクトロニクス)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116 号： 446(ICD2016 100-117) ページ： 87-92 発行年： 2017年01月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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