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文献
J-GLOBAL ID：201702210981994006
整理番号：17A1546196
Co注入シリコンの急速熱プロセスによって得られた中間バンド材料【Powered by NICT】
Intermediate band materials obtained by rapid thermal process of Co-implanted silicon
Yuan Jiren
(School of Science, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Yuan Jiren
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Huang Haibin
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Deng Xinhua
(School of Science, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Deng Xinhua
(State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing 210096, China)
,
Gong Mingang
(School of Science, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Gong Mingang
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Liu Cuicui
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Yue Zhihao
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Gao Chao
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Zhou Naigen
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
,
Zhou Lang
(Institute of Photovoltaics, Nanchang University, Nanchang 330031, China)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 209 ページ： 522-524 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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