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文献
J-GLOBAL ID：201702211026070097
整理番号：17A0279329
単一材料ゲートと二重材料ゲートの比較研究SOI無接合トランジスタ【Powered by NICT】
Comparative study of single Material gate and Dual Material gate Silicon-On-Insulator Junctionless Transistors
Wagaj S.C.
(Dept. of Electronics & Telecommunication, JSPM’s Rajarshi Shahu College of Engineering, Tathawade, Pune, India)
,
Chavan Y.V.
(Dept. of Electronics & Telecommunication, JSPM’s Rajarshi Shahu College of Engineering, Tathawade, Pune, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISCO ページ： 272-277 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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