文献
J-GLOBAL ID:201702211048760845
整理番号:17A1447322
グラフェンデバイス集積のための原子層堆積【Powered by NICT】
Atomic Layer Deposition for Graphene Device Integration
著者 (3件):
Vervuurt Rene H. J.
(Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600, MB, Eindhoven, The Netherlands)
,
Kessels Wilhelmus M. M. (Erwin)
(Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600, MB, Eindhoven, The Netherlands)
,
Bol Ageeth A.
(Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600, MB, Eindhoven, The Netherlands)
資料名:
Advanced Materials Interfaces
(Advanced Materials Interfaces)
巻:
4
号:
18
ページ:
ROMBUNNO.201700232
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2484A
ISSN:
2196-7350
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)