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文献
J-GLOBAL ID：201702211088405887
整理番号：17A1459334
(A~3+, Nb~5+)共ドープTiO_2(A=Al,GaおよびIn)における巨大誘電率と電子構造【Powered by NICT】
Giant dielectric permittivity and electronic structure in (A3+, Nb5+) co-doped TiO2 (A = Al, Ga and In)
Tuichai Wattana
(Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand)
,
Danwittayakul Supamas
(National Metal and Materials Technology Center, National Science and Technology Development Agency, Thailand Science Park, Pathumthani 12120, Thailand)
,
Srepusharawoot Pornjuk
(Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand)
,
Srepusharawoot Pornjuk
(Nanotec-KKU Center of Excellence on Advanced Nanomaterials for Energy Production and Storage, Khon Kaen 40002, Thailand)
,
Srepusharawoot Pornjuk
(Thailand Center of Excellence in Physics, Commission on Higher Education, Bangkok 10400, Thailand)
,
Thongbai Prasit
(Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand)
,
Thongbai Prasit
(Nanotec-KKU Center of Excellence on Advanced Nanomaterials for Energy Production and Storage, Khon Kaen 40002, Thailand)
,
Maensiri Santi
(School of Physics, Institute of Science, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 43 号： S1 ページ： S265-S269 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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