文献
J-GLOBAL ID:201702211105938876
整理番号:17A0702644
平面ハニカム構造を有する単層窒化ガリウム(GaN)の軌道に駆動された低熱伝導率:比較研究【Powered by NICT】
Orbitally driven low thermal conductivity of monolayer gallium nitride (GaN) with planar honeycomb structure: a comparative study
著者 (5件):
Qin Zhenzhen
(College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University, Tianjin 300350, China. xzuo@nankai.edu.cn)
,
Qin Guangzhao
,
Zuo Xu
,
Xiong Zhihua
,
Hu Ming
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
12
ページ:
4295-4309
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)