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J-GLOBAL ID：201702211210911507 整理番号：17A0364643

Si(111)および(001)表面上のStranski-KrastanowによるGeの成長機構の違い:STM研究【Powered by NICT】

Different growth mechanisms of Ge by Stranski-Krastanow on Si (111) and (001) surfaces: An STM study

著者 (1件)：

Teys S.A.

(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, 13 Lavrentyeva Aven., 630090 Novosibirsk, Russia)

資料名：

Applied Surface Science (Applied Surface Science)

巻： 392 ページ： 1017-1025 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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