文献
J-GLOBAL ID:201702211210911507
整理番号:17A0364643
Si(111)および(001)表面上のStranski-KrastanowによるGeの成長機構の違い:STM研究【Powered by NICT】
Different growth mechanisms of Ge by Stranski-Krastanow on Si (111) and (001) surfaces: An STM study
著者 (1件):
Teys S.A.
(Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, 13 Lavrentyeva Aven., 630090 Novosibirsk, Russia)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
392
ページ:
1017-1025
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)