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文献
J-GLOBAL ID：201702211252595638
整理番号：17A0884240
金属接触によるWSe_2トランジスタの種々のおよび調整可能な輸送特性【Powered by NICT】
Various and Tunable Transport Properties of WSe2 Transistor Formed by Metal Contacts
Liu Chunsen
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Yan Xiao
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Zhang Enze
(State Key Laboratory of Surface Physics, Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Song Xiongfei
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Sun Qingqing
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Ding Shijin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Bao Wenzhong
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Xiu Faxian
(State Key Laboratory of Surface Physics, Department of Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Zhou Peng
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
,
Zhang David Wei
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
資料名：
Small
(Small)
巻： 13 号： 18 ページ： ROMBUNNO.201604319 発行年： 2017年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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