文献
J-GLOBAL ID:201702211309470119
整理番号:17A0887461
Mo/Cu2SnS3/ZnS薄膜スタック焼なまし中のRaman分光法を用いたCu2ZnSnS4吸収体形成のin situモニタリング【Powered by NICT】
In Situ Monitoring of Cu2ZnSnS4 Absorber Formation With Raman Spectroscopy During Mo/Cu2SnS3/ZnS Thin-Film Stack Annealing
著者 (5件):
van Duren Stephan
(Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin, Berlin, Germany)
,
Ren Yi
(Ångstroem Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, Uppsala, Sweden)
,
Scragg Jonathan
(Ångstroem Solar Center, Solid State Electronics, Uppsala University, Uppsala, Sweden)
,
Just Justus
(Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin, Berlin, Germany)
,
Unold Thomas
(Department Structure and Dynamics of Energy Materials, Helmholtz-Zentrum Berlin, Berlin, Germany)
資料名:
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻:
7
号:
3
ページ:
906-912
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2305A
ISSN:
2156-3381
CODEN:
IJPEG8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)