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文献
J-GLOBAL ID：201702211328812553
整理番号：17A0551963
活性層から成る自己集合三次元MoS2ミクロスフェアのバイポーラ抵抗スイッチングメモリ挙動の機構
Mechanism for bipolar resistive switching memory behaviors of a self-assembled three-dimensional MoS2 microsphere composed active layer
Zhou G. D.
(Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
,
Lu Z. S.
(Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
,
Yao Y. Q.
(Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
,
Wang G.
(Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
,
Yang X. D.
(Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
,
Zhou A. K.
(ChinaKunming Institute of Botany, Chinese Academy Science, Kunming 650201, China)
,
Li P.
(School of Physics and Mechanical and Electrical Engineering, Zunyi Normal College, Zunyi 563002, People’s Republic of China)
,
Ding B. F.
(Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
,
Song Q. L.
(Institute for Clean Energy and Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, China)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 15 ページ： 155302-155302-7 発行年： 2017年04月21日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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