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文献
J-GLOBAL ID：201702211341173460
整理番号：17A1955659
Operando軟X線光電子ナノ分光法を利用することによるGaNトランジスタの表面電子トラッピングの定量
Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy
FUKIDOME Hirokazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OMIKA Keiichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TATENO Yasunori
(Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN)
,
KOUCHI Tsuyoshi
(Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN)
,
KOMATANI Tsutomu
(Sumitomo Electric Device Innovation, Yamanashi, JPN)
,
NAGAMURA Naoka
(NIMS, Ibaraki, JPN)
,
KONNO Syun
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI Yoshinobu
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
KOTSUGI Masato
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
,
HORIBA Koji
(KEK/PF, Tsukuba, JPN)
,
SUEMITSU Maki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OSHIMA Masaharu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)
(Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM))
巻： 8th ページ： ROMBUNNO.6pA2-3 発行年： 2017年
JST資料番号： L8395B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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