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文献
J-GLOBAL ID:201702211341173460   整理番号:17A1955659

Operando軟X線光電子ナノ分光法を利用することによるGaNトランジスタの表面電子トラッピングの定量

Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy
著者 (12件):
FUKIDOME Hirokazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
OMIKA Keiichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
TATENO Yasunori
(Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN)
KOUCHI Tsuyoshi
(Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN)
KOMATANI Tsutomu
(Sumitomo Electric Device Innovation, Yamanashi, JPN)
NAGAMURA Naoka
(NIMS, Ibaraki, JPN)
KONNO Syun
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
TAKAHASHI Yoshinobu
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
KOTSUGI Masato
(Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
HORIBA Koji
(KEK/PF, Tsukuba, JPN)
SUEMITSU Maki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
OSHIMA Masaharu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

資料名:
Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)  (Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM))

巻: 8th  ページ: ROMBUNNO.6pA2-3  発行年: 2017年 
JST資料番号: L8395B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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