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文献
J-GLOBAL ID：201702211500486197
整理番号：17A0362521
パルスRFモードにおけるAlGaN/GaNH EMTデバイスの劣化に及ぼすドレイン静止電圧の影響【Powered by NICT】
Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode
Divay A.
(Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, Groupe de Physique des Materiaux, 76000 Rouen, France)
,
Duperrier C.
(University of Cergy, ETIS UMR 8051 CNRS, ENSEA, 95000 Cergy-Pontoise, France)
,
Temcamani F.
(Quartz, ENSEA, 95000 Cergy-Pontoise, France)
,
Latry O.
(Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, Groupe de Physique des Materiaux, 76000 Rouen, France)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 64 ページ： 585-588 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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