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文献
J-GLOBAL ID:201702211500486197   整理番号:17A0362521

パルスRFモードにおけるAlGaN/GaNH EMTデバイスの劣化に及ぼすドレイン静止電圧の影響【Powered by NICT】

Effects of drain quiescent voltage on the ageing of AlGaN/GaN HEMT devices in pulsed RF mode
著者 (4件):
Divay A.
(Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, Groupe de Physique des Materiaux, 76000 Rouen, France)
Duperrier C.
(University of Cergy, ETIS UMR 8051 CNRS, ENSEA, 95000 Cergy-Pontoise, France)
Temcamani F.
(Quartz, ENSEA, 95000 Cergy-Pontoise, France)
Latry O.
(Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, Groupe de Physique des Materiaux, 76000 Rouen, France)

資料名:
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

巻: 64  ページ: 585-588  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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