文献
J-GLOBAL ID:201702211545399153
整理番号:17A0478359
磁性層をもつヘテロ構造におけるスピン依存のトンネリング再結合
Spin-Dependent Tunneling Recombination in Heterostructures with a Magnetic Layer
著者 (6件):
DENISOV K. S.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
DENISOV K. S.
(Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN)
,
ROZHANSKY I. V.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ROZHANSKY I. V.
(Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN)
,
AVERKIEV N. S.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LAEHDERANTA E.
(Lappeenranta Univ. Technol., Lappeenranta, FIN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
1
ページ:
43-48
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)