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文献
J-GLOBAL ID：201702211593118008
整理番号：17A0203800
InAs/GaAs単一量子ドットのオンデマンドエピタクシーのための適切なin沈着【Powered by NICT】
Proper In deposition amount for on-demand epitaxy of InAs/GaAs single quantum dots
Shang Xiangjun
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Xu Jianxing
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Ma Ben
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Chen Zesheng
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wei Sihang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Mifeng
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zha Guowei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhang Lichun
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Yu Ying
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Ni Haiqiao
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Niu Zhichuan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 25 号： 10 ページ： 107805-1-107805-7 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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