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文献
J-GLOBAL ID：201702211601389815
整理番号：17A0759440
AlN/stripパターン形成したSiO_2犠牲層を用いたエコGaNテンプレートからの窒化LEDのための化学リフトオフプロセス【Powered by NICT】
Chemical lift-off process for nitride LEDs from an Eco-GaN template using an AlN/strip-patterned-SiO2 sacrificial layer
Horng Ray-Hua
(Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan, ROC)
,
Horng Ray-Hua
(Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC)
,
Hsueh Hsu-Hung
(Graduate Institute of Precision Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC)
,
Ou Sin-Liang
(Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua 51591, Taiwan, ROC)
,
Tsai Chi-Tsung
(Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC)
,
Tsai Tsung-Yen
(Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC)
,
Wuu Dong-Sing
(Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 40227, Taiwan, ROC)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 3 ページ： ROMBUNNO.201600657 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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