文献
J-GLOBAL ID:201702211827959880
整理番号:17A0565957
28nmFDSOIにおける完全合成可能な10.06Gbps16.1mWインジェクションロックCDR
A Fully-Synthesizable 10.06Gbps 16.1mW Injection-Locked CDR in 28nm FDSOI
著者 (6件):
THARAYIL NARAYANAN Aravind
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
,
DENG Wei
(Apple Inc.)
,
YANG Dongsheng
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
,
WU Rui
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
,
OKADA Kenichi
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
,
MATSUZAWA Akira
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻:
E100.C
号:
3
ページ:
259-267(J-STAGE)
発行年:
2017年
JST資料番号:
U0468A
ISSN:
1745-1353
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)