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文献
J-GLOBAL ID：201702211859984373
整理番号：17A0665575
高Ti~3+自己ドーピングと低再結合速度電子-正孔対のにより特性化されたTiO_2~-をベースにした材料の電子的性質【Powered by NICT】
Electronic properties of TiO2-based materials characterized by high Ti3+ self-doping and low recombination rate of electron-hole pairs
Aronne A.
(Dipartimento di Ingegneria Chimica, dei Materiali e della Produzione Industriale, Universita di Napoli Federico II, Piazzale Tecchio, 80, I-80125, Napoli, Italy. anaronne@unina.it)
,
Fantauzzi M.
,
Imparato C.
,
Atzei D.
,
De Stefano L.
,
D’Errico G.
,
Sannino F.
,
Rea I.
,
Pirozzi D.
,
Elsener B.
,
Pernice P.
,
Rossi A.
資料名：
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻： 7 号： 4 ページ： 2373-2381 発行年： 2017年
JST資料番号： U7055A ISSN： 2046-2069 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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