文献
J-GLOBAL ID:201702211943341353
整理番号:17A0055454
低エネルギー消費ナノオプトエレクトロニクスのためのInGaNメソスコピック構造【Powered by NICT】
InGaN mesoscopic structures for low energy consumption nano-opto-electronics
著者 (8件):
Luth H.
(Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
,
Mikulics M.
(Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
,
Winden A.
(Robert Bosch GmbH, Reutlingen D-72760, Germany)
,
Trellenkamp St.
(Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
,
Sofer Z.
(Dept. of Inorganic Chemistry, Institute of Chemical Technology, Prague, Technicka ́ 5, 166 28 Prague 6, Czech Republic)
,
Marso M.
(Faculte ́ des Sciences, de la Technologie et de la Communication, Universite ́ du Luxembourg, L-1359 Luxembourg)
,
Grutzmacher D.
(Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
,
Hardtdegen H.
(Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ASDAM
ページ:
69-72
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)